Memoria RAM 32GB (2x16GB) G Skill DDR5 6000 MHz
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32GB (2x16GB) G Skill DDR5 6000 MHz RAM
Dise ñ para plataformas AMD AM5 habilitadas para DDR5, a memória DDR5 na série Flare X5 é ñ es ñ es para alto desempenho em um dise ñ es ou low-profile. Com os perfis de overclocking da AMD EXPO para facilitar o overclocking de memória, os usuários podem facilmente ativar o desempenho de overclocking, simplesmente habilitando a EXPO no BIOS em sistemas compatíveis.
Dise ñ ado para AMD, dise ñ ado para o desempenho
Criado a partir de circuitos integrados DDR5 DRAM de alta qualidade, os kits de memória Flare X5 são ñ es para desempenho em plataformas AMD. Com os perfis AMD EXPO (Extended Profiles for overclocking), o Flare X5 permite overclocking single-pass single-memory overclocking para trazer o BIOS &ealds em motherboards compatíveis.
Matt Minimalism
Disponível em preto de matt anodizado, o módulo de memória Flare X5 é apresentado com um dise ñ ou minimalista sobre os grills e caminhos das &aasties físicas, sendo ideal para uma variedade de tópicos de construção ñ ou simples.
Criado para Qualidade
Cada kit de memória Flare X5 é criado com circuitos integrados escolhidos a dedo e é testado para o rigoroso processo de validação de G. SKILL para garantir qualidade excepcional.
Dise ñ es ou low profile compact
Com uma altura de perfil baixo de apenas 33 mm, o Flare X5 é uma escolha ideal para PCs compactos ou sistemas com grandes sinos de CPU.
Suporte AMD EXPO
Simplesmente config ú us e pronto. Programado com perfis de overclocking da AMD EXPO, a única coisa que fica entre você e um desempenho sem crate é uma configuração simples do BIOS.
Especificações:
- Memória
- Tipo de Memória Interna: DDR5
- Memória interna: 32 GB
- Formulário de Fator de Memória: 262-pin SO-DIMM
- Frequência: 6000 MHz
- Layout da memória (módulos x tamanho): 2 x 16 GB
- Latência da CAS: CL36
- ECC: Não
- Memória sem buffer: Sim
- Memória do canal de memória:
- Detalhes t &eicnics
- Cooling type: Disiant t &eatuosrmico
- Power control &iute; para
- Voltagem de memória: 1,35 V
